Versetzungen und inverse Pyramidendefekte in AlGaN/GaN-HEMT-Strukturen auf Si und deren Einfluss auf Material- und Bauelementeigenschaften

Versetzungen und inverse Pyramidendefekte in AlGaN/GaN-HEMT-Strukturen auf Si und deren Einfluss auf Material- und Bauelementeigenschaften（Besendörfer, Sven 著）属公有领域作品，本页面提供公版书免费下载，已通过夸克网盘 / 百度网盘分发。读者可一键转存至个人网盘，离线阅读或永久保存。